由于熱阻隨IGBT安裝位置的不同而不同，因此，若在散熱器上僅安裝一個(gè)IGBT時(shí)，應將其安裝在正中間，以便使得熱阻最小;當要安裝幾個(gè)IGBT時(shí)，應根據每個(gè)IGBT的發(fā)熱情況留出相應的空間; 使用帶紋路的散熱器時(shí)，應將IGBT較寬的方向順著(zhù)散熱器的紋路，以減少散熱器的變形;散熱器的安裝表面光潔度應≤10μm，如果散熱器的表面不平，將大大增加散熱器與器件的接觸熱阻，甚至在IGBT的管芯和管殼之間的襯底上產(chǎn)生很大的張力，損壞IGBT的絕緣層;為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。為IGBT散熱器設計保護時(shí)需要注意的問(wèn)題:

　　1.IGBT柵極的保護

　　2.集電極與發(fā)射極間的過(guò)壓保護

　　過(guò)電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況，一種是施加到IGBT集電極-發(fā)射極間的直流電壓過(guò)高，另一種為集電極-發(fā)射極上的浪涌電壓過(guò)高。

　　(1)直流過(guò)電壓

　　直流過(guò)壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時(shí)，進(jìn)行降額設計;另外，可在檢測出這一過(guò)壓時(shí)分斷IGBT的輸入，保證IGBT的安全。

　　(2)浪涌電壓的保護

　　因為電路中分布電感的存在，加之IGBT的開(kāi)關(guān)速度較高，當IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復二極管逆向恢復時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt，威脅IGBT的安全。

　　3.集電極電流過(guò)流保護

　　對IGBT的過(guò)流保護，主要有3種方法。

　　(1)用電阻或電流互感器檢測過(guò)流進(jìn)行保護

　　(2)由IGBT的VCE(sat)檢測過(guò)流進(jìn)行保護

　　(3)檢測負載電流進(jìn)行保護

　　(4)過(guò)熱保護

　　一般情況下流過(guò)IGBT的電流較大，開(kāi)關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時(shí)散掉，使得器件的結溫Tj超過(guò)Tjmax，則IGBT可能損壞。

　　IGBT的功耗包括穩態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)動(dòng)耗，其動(dòng)態(tài)功耗又包括開(kāi)通功耗和關(guān)斷功耗。在進(jìn)行熱設計時(shí)，不僅要保證其在正常工作時(shí)能夠充分散熱，而且還要保證其在發(fā)生短時(shí)過(guò)載時(shí)，IGBT的結溫也不超過(guò)Tjmax。

　　當然，受設備的體積和重量等的限制以及性?xún)r(jià)比的考慮，散熱系統也不可能無(wú)限制地擴大?？稍诳拷麵GBT處加裝一溫度繼電器等，檢測IGBT的工作溫度?？刂茍绦袡C構在發(fā)生異常時(shí)切斷IGBT的輸入，保護其安全。

　　若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動(dòng)正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

　　由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

　　——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;

　　——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;

　　——流過(guò)IGBT集電極-發(fā)射極的電流;

　　——IGBT的結溫。

　　如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅動(dòng)電壓過(guò)低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過(guò)高超過(guò)柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過(guò)集電極-發(fā)射極之間的耐壓，流過(guò)IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過(guò)集電極-發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結溫超過(guò)其結溫的允許值，IGBT都可能會(huì )永久性損壞。